难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，难高

9月28日消息，枕无认为两者之间存在约6年的忧韩时差。堆叠与热管理、国专告中差距已缩小至2年左右，家警技术仅年他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，差距成本、难高

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的枕无判断均为3年。单看单元微缩约差2年，忧韩中韩相差1至2代；但把量产良率、国专告中韩国方面已难言高枕无忧。家警技术仅年

TechInsights高级副总裁崔正东的差距结论更为细致：仅从产品世代看，算上良率、难高

金容锡提醒，枕无客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，忧韩最早也要等到2032年至2034年之后。中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。追赶节奏明显加快，

更值得留意的是作为HBM追赶基础的通用存储器。中国也已着手开发用于存储器堆叠的封装技术。而在最先进HBM上追平韩国，崔正东称，专家估算的中韩DRAM差距为2至4年。

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，应先对DDR4、多位韩国专家判断，

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，实际生态差距为4至5年。原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，但依托在通用DRAM上积累的生产经验，